導(dǎo)讀:真空斷路器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)真空斷路器在我國(guó)近十年來(lái)得到了蓬勃的發(fā)展,至今方興未艾。產(chǎn)品從過(guò)去的ZN1~ZN5幾個(gè)品種發(fā)展到現(xiàn)在數(shù)十多個(gè)型號(hào)、品種,額定電流達(dá)到5000A,開(kāi)斷電流達(dá)到50kA的較好水平,并已發(fā)展到電壓達(dá)35kV等級(jí)。
80年代以前,真空斷路器處于發(fā)展的起步階段,技術(shù)上在不斷摸索,還不能制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),直到1985年后才制定相關(guān)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
真空斷路器因其滅弧介質(zhì)和滅弧后觸頭間隙的絕緣介質(zhì)都是高真空而得名;其具有體積小、重量輕、適用于頻繁操作、滅弧不用檢修的優(yōu)點(diǎn),在配電網(wǎng)中應(yīng)用較為普及。
(1)絕緣水平:試驗(yàn)電壓IEC中國(guó)
1min工頻耐壓(kV)2842(極間、極對(duì)地)48(斷口間)1.2/50沖擊耐壓(kV)7575(極間、極對(duì)地)84(斷口間)
(2)電壽命試驗(yàn)結(jié)束后真空滅弧室斷口的耐壓水平:IEC56中無(wú)規(guī)定。我國(guó)JB3855一96規(guī)定為:完成電壽命次數(shù)試驗(yàn)后的真空斷路器,其斷口間絕緣能力應(yīng)不低于初始絕緣水平的80%,即工頻1min33.6kV和沖擊60kV。
(3)觸頭合閘彈跳時(shí)間:IEC無(wú)規(guī)定,而我國(guó)規(guī)定要求不大于2ms。
(4)溫升試驗(yàn)的試驗(yàn)電流:IEC標(biāo)準(zhǔn)中,試驗(yàn)電流就等于產(chǎn)品的額定電流。我國(guó)DL403-91中規(guī)定試驗(yàn)電流為產(chǎn)品額定電流的110%。
真空斷路器的主要技術(shù)參數(shù)真空斷路器的參數(shù),大致可劃分為選用參數(shù)和運(yùn)行參數(shù)兩個(gè)方面。前者供用戶設(shè)計(jì)選型時(shí)使用;后者則是斷路器本身的機(jī)械特性或運(yùn)動(dòng)特性,為運(yùn)行、調(diào)整的技術(shù)指標(biāo)。
開(kāi)距
觸頭的開(kāi)距主要取決于真空斷路器的額定電壓和耐壓要求,一般額定電壓低時(shí)觸頭開(kāi)距選得小些。但開(kāi)距太小會(huì)影響分?jǐn)嗄芰湍蛪核?。開(kāi)距太大,雖然可以提高耐壓水平,但會(huì)使真空滅弧室的波紋管壽命下降。設(shè)計(jì)時(shí)一般在滿足運(yùn)行的耐壓要求下盡量把開(kāi)距選得小一些。10kV真空斷路器的開(kāi)距通常在8~12mm之間,35kV的則在30~40mm之間。
觸頭接觸壓力
在無(wú)外力作用時(shí),動(dòng)觸頭在大氣壓作用下,對(duì)內(nèi)腔產(chǎn)生一個(gè)閉合力使其與靜觸頭閉合,稱之為自閉力,其大小取決于波紋管的端口直徑。滅弧室在工作狀態(tài)時(shí),這個(gè)力太小不能保證動(dòng)靜觸頭間良好的電接觸,必須施加一個(gè)外加壓力。這個(gè)外加壓力和自閉力之和稱為觸頭的接觸壓力。